特許
J-GLOBAL ID：200903019701480498
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-078144
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277519
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】ダマシン配線のEM耐性の向上を図ること。【解決手段】底面に所定の間隔で配列形成された複数の分断島6を有する配線溝4を形成し、次いで配線溝4内を充填するようにDD配線8となるAl膜を堆積し、次いでRTAによってAl膜の結晶粒9を大粒径化し、最後に配線溝4の外部の余剰なAl膜を除去してDD配線8が完成する。
請求項（抜粋）：
絶縁膜に形成された配線溝の底面に形成された複数の柱状部材と、これらの柱状部材が形成された前記配線溝の内部に形成され、複数の結晶粒を有する配線とを具備してなり、前記配線は、少なくとも3つの前記柱状部材を結んで形成されるユニット領域によって複数の領域に区分され、かつ前記ユニット領域を構成する隣り合う2つの前記柱状部材の最大距離は、前記複数の結晶粒の平均粒径以下であることを特徴とする半導体装置。
Fターム (17件)：
5F033HH08
, 5F033JJ01
, 5F033KK19
, 5F033LL08
, 5F033MM02
, 5F033NN29
, 5F033PP18
, 5F033PP33
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033QQ82
, 5F033QQ98
, 5F033RR06
, 5F033SS04
, 5F033SS15
, 5F033TT01
, 5F033XX05
