特許
J-GLOBAL ID：200903019707145682
トレンチ側壁のバッファー層を使用して半導体装置用金属配線を形成する方法及びそれにより製造された装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-295656
公開番号（公開出願番号）：特開2004-080044
出願日： 2003年08月19日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】 トレンチの側壁に食刻バッファー層を形成した後、犠牲充填膜を除去することによって、欠陥発生を減少、または防止することができる半導体装置のデュアルダマシーン金属配線形成方法、及びそれにより製造された装置を提供する。【解決手段】 集積回路装置用の金属配線は、集積回路基板にトレンチと、トレンチの一部分下にビアホールとを形成して製造する。トレンチは、側壁を有し、ビアホールは犠牲膜を有する。バッファー層がトレンチの側壁に形成される。トレンチ側壁にバッファー層を有するトレンチを通じて犠牲膜を食刻して犠牲膜の少なくとも一部分をビアホールで除去する。金属配線は、犠牲膜の少なくとも一部分が除去されたビアホールとトレンチとに形成する。バッファー層は、犠牲膜を除去する時、使用されるエッチャントに対する食刻選択比を有し、犠牲膜の除去時、トレンチ側壁を保護することができる物質を有する。【選択図】 図15
請求項（抜粋）：
半導体基板上に層間絶縁膜及び研磨バッファー層を形成する段階と、
前記層間絶縁膜及び研磨バッファー層を食刻してビアホールを形成する段階と、
前記ビアホールが満たされるように前記研磨バッファー層上に犠牲充填膜を形成する段階と、
前記犠牲充填膜、研磨バッファー層及び層間絶縁膜を食刻してトレンチを形成して、ビアホールとトレンチとでできているデュアルダマシーンパターンを形成する段階と、
前記トレンチの側壁に食刻バッファー層を形成する段階と、
ビアホール内の犠牲充填膜の少なくとも一部分を除去する段階と、
前記デュアルダマシーンパターン内に金属配線を形成する段階と、
を備えることを特徴とする半導体装置のデュアルダマシーン配線形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (30件)：
5F033HH11
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033JJ01
, 5F033JJ11
, 5F033JJ32
, 5F033KK11
, 5F033MM02
, 5F033MM10
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ19
, 5F033QQ25
, 5F033QQ35
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR21
, 5F033SS15
, 5F033TT01
, 5F033XX02
, 5F033XX09
, 5F033XX28
