特許
J-GLOBAL ID：200903019832549701
イオン注入方法及びイオン注入装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人エクシオ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-235140
公開番号（公開出願番号）：特開2009-070886
出願日： 2007年09月11日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
【課題】 単位面積当たりのイオン量が減少することなく、任意の浸透深さでイオンを注入できるイオン注入方法を提供する。【解決手段】 真空中で保持された基板Sに対し、加速器16により加速することで所定の注入エネルギーに制御したイオンビームを照射し、X、Y方向に走査させて所定のイオンを注入する。その際、加速器での注入エネルギーを保持した状態で、イオンビームに対して基板Sを傾け、当該傾きに応じてイオンの浸透深さを変化させる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
真空中で保持された基板に対し、加速器により加速することで所定の注入エネルギーに制御したイオンビームを照射し、X、Y方向に走査させて所定のイオンを注入するイオン注入方法において、
前記加速器での注入エネルギーを保持した状態で、イオンビームに対して基板を傾け、当該傾きに応じてイオンの浸透深さを変化させることを特徴とするイオン注入方法。
IPC (2件)：
H01L 21/265
, H01J 37/317
H01L21/265 603D
, H01J37/317 B
, H01J37/317 C
, H01L21/265 V
, H01L21/265 Q
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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