フォトレジスト材料およびパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056944
公開番号（公開出願番号）：特開2000-250204
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】長期に亘る保存や環境温度の変化に対して感度安定性に優れたフォトレジスト材料およびパターン形成方法を提供する。【解決手段】少なくともα,β-不飽和ケトン化合物を含有するものであることを特徴とするフォトレジスト材料ならびに少なくともα,β-不飽和ケトン化合物を含有するフォトレジスト材料を基板上に塗布する工程、次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長500nm以下の高エネルギー線、X線または電子線で露光する工程および現像液を用いて現像する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

少なくともα,β-不飽和ケトン化合物を含有するものであることを特徴とするフォトレジスト材料。

IPC (4件)：

G03F 7/004 502 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/004 502 , G03F 7/038 601 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

Fターム (17件)：

2H025AA01 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC01 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17

引用特許：

審査官引用 (12件)

特公昭45-022085
特公昭45-022085
特公昭45-022085

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