特許
J-GLOBAL ID：200903019989526870
シリコン半導体の鉄濃度評価方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-163934
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183123
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体試料への新たな汚染の導入を防止しつつ,半導体試料中の鉄濃度を容易且つ高精度で測定することが可能なシリコン半導体の鉄濃度評価方法及びその装置を提供する。【解決手段】 鉄に汚染されたP型シリコン半導体試料に光を連続的に照射すると,試料内のFe-Bが次第に解離される。上記Fe-Bの解離前の再結合ライフタイムτ1と解離後の再結合ライフタイム(飽和値)τ2とにより評価値DFe=(1/τ1)-(1/τ2)を求めると,上記DFeは鉄濃度と相関がある。そこで,評価値DFeと鉄濃度との関係を検量線として予め求めておき,光照射によるFe-Bの解離前の再結合ライフタイムτ1と解離後の再結合ライフタイム(飽和値)τ2とを測定し,これらτ1,τ2を上記検量線に照合することで鉄濃度を評価することが可能である。
請求項（抜粋）：
P型シリコン半導体試料にシリコンの禁制帯以上のエネルギーをもつ所定の光を照射した直後の再結合ライフタイムと,上記所定の光の照射の影響がないときの再結合ライフタイムとに基づいて,上記半導体試料の鉄汚染濃度を評価するシリコン半導体の鉄濃度評価方法。
IPC (5件)：
H01L 21/66
, G01N 21/00
, G01N 21/63
, G01N 22/00
, G01N 27/00
H01L 21/66 N
, G01N 21/00 B
, G01N 21/63
, G01N 22/00 Z
, G01N 27/00 Z
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)
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