特許
J-GLOBAL ID：200903020072937801
半導体装置のバンプ電極形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032944
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232121
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】ガラスエポキシを基材とした回路基板に代表される、基板表面の平坦性が確保できない多層基板に、フリップチップ実装する実装構造において、基板表面のうねりの山の部分では、バンプとの導通が確保されるが、うねりの谷の部分では導通できない状態となってしまう。そこで従来は、基板の層間絶縁層を実装時に沈み込ませ導通を確保している。しかし、この方法だと、層間のパターンショートやベアチップICのエッジショートが発生してしまう。回路基板にうねりがあったとしても、安定した実装品質が得られる実装構造が必要であった。【解決手段】半導体装置のバンプ電極に凹凸9を設けることにより、回路基板2のうねりを、実装時に凹凸部を塑性変形させ、吸収させることにより、安定した実装構造を実現した。
請求項（抜粋）：
半導体装置のバンプ形成工程において、半導体装置のアルミ電極パット上にバンプ電極を形成した後、前記バンプの電極を凹凸形状に整形する事を特徴とする半導体装置のバンプ電極形成方法。
FI (4件)：
H01L 21/92 604 A
, H01L 21/92 602 G
, H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 H
