III族窒化物半導体光素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：速水進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-272784
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086897
出願日： 2001年09月07日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】ドライエッチングダメージやI-V特性劣化の課題を克服し、コンタクト面積が活性層面積より広く横モード特性に優れた窒化物半導体レーザを提供する。【解決手段】リッジ形状のクラッド層9の側面にn型反転領域を含む電流阻止層11を設ける。このn型反転領域は、マスク材料から揮発したシリコン等が導入されることにより形成される。

請求項（抜粋）：

活性層を含むIII族窒化物半導体積層構造と、その上部に形成されたリッジ形状の電流注入層と、該電流注入層を覆うように形成された電極層と、を有し、前記電流注入層の側壁と前記電極層との間に電流阻止層が設けられたことを特徴とするIII族窒化物半導体光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/223 , H01S 5/323 610

FI (2件)：

H01S 5/223 , H01S 5/323 610

Fターム (11件)：

5F073AA11 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB19 , 5F073DA05 , 5F073DA07 , 5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-299644 出願人：松下電器産業株式会社
窒化物半導体層の選択成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-227784 出願人：日本電気株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-150292 出願人：株式会社リコー

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