特許
J-GLOBAL ID：200903020190312158
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-099965
公開番号（公開出願番号）：特開2009-253060
出願日： 2008年04月08日
公開日（公表日）： 2009年10月29日
要約：
【課題】半導体集積回路装置の製造工程のうちの組立工程におけるダイシング後のチップのピックアップ工程では、急速なチップの薄膜化によって、ピックアップ不良の低減が重要な課題となっている。特に、剥離動作によるチップ周辺部の湾曲がチップの割れ、欠けを惹起する可能性が高い。【解決手段】これらの課題を解決するための本願発明は、ダイシング・テープ(粘着テープ)等からチップを吸引コレットで真空吸着して剥離する場合において、吸引コレットの真空吸着系の流量をモニタすることで、チップが粘着テープから完全に剥離する以前のチップの湾曲状態を監視するものである。【選択図】図31
請求項（抜粋）：
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)ほぼ元のウエハの際の2次元的配置のままで、個々のチップ領域に分割された複数のチップを、それらの裏面を粘着テープに固定した状態でチップ処理装置に供給する工程;
(b)前記複数のチップの内の第1のチップの表面を吸着コレットで真空吸着し、且つ、前記第1のチップの前記裏面の前記粘着テープを下部基体の上面に真空吸着した状態で、前記粘着テープを前記第1のチップの前記裏面から剥離させる工程、
ここで、前記工程(b)は以下の下位工程を含む:
(b1)前記第1のチップが前記粘着テープから完全に剥離する以前の前記第1のチップの湾曲状態を、前記吸着コレットの真空吸着系の流量を計測することによってモニタする工程。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/52 F
, H01L21/68 E
5F031CA13
, 5F031HA78
, 5F031JA45
, 5F031JA51
, 5F031MA35
, 5F031MA40
, 5F031PA20
, 5F047BB16
, 5F047BB19
, 5F047FA01
, 5F047FA04
, 5F047FA07
, 5F047FA09
