特許
J-GLOBAL ID：200903020239454360
有機ELレーザリペア方法及びレーザリペア装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹内 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-226604
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042498
出願日： 2005年08月04日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】有機EL素子の欠陥部の位置を精確に把握し、レーザを欠陥部に局所的に照射して、欠陥部の存在する画素を該画素内の有機EL素子全体の機能を失わせるのではなく、欠陥部以外の有機EL素子については、その発光機能を温存させながら、該画素内の有機EL素子のうち欠陥部の部分のみを局所的にリペアする方法と装置を提供する。【解決手段】有機EL素子の電圧電流特性を計測し、該電圧電流特性を所定の基準電圧電流特性と比較することによりリーク電流の 有無を判断し、有機EL素子に発光閾値未満の電圧を印加してリーク発光像を取得し、リーク発光部分にレーザを照射してリペアし、有機EL素子に有機EL素子の発光閾値未満の電圧を印加してリーク発光像がないことと、電圧電流特性を計測してリーク電流が減少したことにより正しくリペアされたことを確認する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
有機EL素子の欠陥部を発見して、欠陥部にレーザを照射してリペアを行うリペア方法であって、
(a)前記有機EL素子に発光閾値未満の電圧(以下「閾値未満電圧」ともいう)を印加して、前記閾値未満電圧が印加されている状態の前記有機EL素子の像(以下「閾値未満素子像」ともいう)を取得するステップと、
(b)前記ステップ(a)において取得した前記閾値未満素子像を観察して、 前記閾値未満素子像のなかに、発光している像(以下「リーク発光像」ともいう)を発見した場合には、発見したリーク像を表示している表示装置上の該発見したリーク発光像をマウスでクリックすることにより該発見したリーク発光像に対応する有機EL素子の該リーク発光している箇所の位置情報を把握し、該位置情報に基づいて、該リーク発光像に対応する前記有機EL素子の発光箇所にレーザを照射し、リーク発光像を発見できない場合には当該方法を終了するステップと、
(c)前記ステップ(b)においてレーザが照射された前記有機EL素子に、 再度前記閾値未満電圧を印加して前記閾値未満電圧が印加されている状態の前記有機EL素子の前記閾値未満素子像を取得し、前記閾値未満素子像の中には前記ステップ(b)において発見した前記リーク発光像をもはや発見できないことにより、リペアが正常に完了したと判断するステップと、を含むことを特徴とするリペア方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (3件)：
3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA00
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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