特許
J-GLOBAL ID：200903035565244543
磁性トンネル接合
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-178747
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072090
出願日： 2003年06月23日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】保磁力を微調整する自由および相当程度のMRを実現する自由を残しながら製造しうるMTJデバイスおよびそれを備えたメモリ・アレイを提供する。【解決手段】障壁層で分離されたフリー層205と被ピン止め層260を備えた磁気トンネル接合デバイス200を提供する。本発明によると、フリー層205はフェリ磁性層210と反平行層220を備えている。反平行層220の磁化モーメントは磁気トンネル接合デバイス200の少なくとも所定温度内でフェリ磁性層210の磁気モーメントと実質的に反平行をなしている。このような磁気トンネル接合デバイス200を備えたメモリ・アレイも提供する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
フリー層と被ピン止め層とを備えた磁気トンネル接合デバイスであって、
前記フリー層は障壁層によって前記被ピン止め層から分離されており、
前記フリー層は、
フェリ磁性材料を含むフェリ磁性層と、
前記フェリ磁性層に近接した反平行層と
を備え、
前記反平行層の磁気モーメントは前記磁気トンネル接合デバイスの少なくとも所定温度範囲内で前記フェリ磁性層の磁気モーメントと実質的に反平行をなしている
磁気トンネル接合デバイス。
IPC (3件)：
H01L43/08
, G11C11/15
, H01L27/105
H01L43/08 Z
, G11C11/15 110
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083KA01
, 5F083KA05
