特許
J-GLOBAL ID：200903020301618790

TFT基板及びTFT基板の製造方法

発明者：
井上 一吉

井上 一吉 について

, 
矢野 公規

矢野 公規 について

, 
松原 雅人

松原 雅人 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-368735
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173489
出願日： 2005年12月21日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】動作安定性などの品質を向上させるとともに、製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減できることが可能なTFT基板及びTFT基板の製造方法の提案を目的とする。【解決手段】TFT基板1は、ガラス基板10と、このガラス基板10上に形成され、上面がゲート絶縁膜30に覆われ、かつ、側面が陽極酸化されることにより(陽極酸化部26により)絶縁されたゲート電極23及びゲート配線24と、ゲート電極23上のゲート絶縁膜30上に形成された第一の酸化物層としてのn型酸化物半導体層40と、n型酸化物半導体層40上に、チャンネル部46によって隔てられて形成された第二の酸化物層としての酸化物導電体層50を備えている。【選択図】 図10
請求項（抜粋）：
基板と、 この基板上に形成され、上面がゲート絶縁膜に覆われ、かつ、側面が陽極酸化されることにより絶縁されたゲート電極及びゲート配線と、 前記ゲート電極上の前記ゲート絶縁膜上に形成された第一の酸化物層と、 前記第一の酸化物層上に、チャンネル部によって隔てられて形成された第二の酸化物層と を具備することを特徴とするTFT基板。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/321 ,  G09F 9/30
FI (10件)：
H01L29/78 617J ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616K ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L21/88 C ,  G09F9/30 338
Fターム (72件)：
4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104GG09 ,  4M104GG20 ,  4M104HH03 ,  5C094AA44 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094DB01 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5F033GG01 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH10 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033KK38 ,  5F033LL02 ,  5F033MM08 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ89 ,  5F033SS26 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW07 ,  5F033XX16 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE06 ,  5F110EE34 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ02
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)

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