強誘電体膜キャパシタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-168369
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347682
出願日： 2004年06月07日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】電極のみ一括エッチングにより縦型構造の強誘電体キャパシタを形成することにより、強誘電体膜のエッチングダメージ無しに、容量の増大と微細化を可能とする。【解決手段】本発明の強誘電体キャパシタの製造方法は、シリコン基板上の全面に電極材料となる白金膜を形成し、白金膜を一括エッチングして一対のキャパシタ電極となる対向電極を形成し、キャパシタの誘電体膜である強誘電体膜を一対の対向電極の間の挟まれる部分に埋め込むようにしたものである。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

強誘電体膜キャパシタにおいて、シリコン基板上の全面に金属膜を形成し、前記金属膜をパターニングし対向する一対の対向電極を形成し、強誘電体膜を形成し前記一対の対向電極に挟まれる領域に該強誘電体膜を埋め込むことを特徴とする強誘電体膜キャパシタの製造方法。

IPC (1件)：

H01L27/105

FI (1件)：

H01L27/10 444B

Fターム (9件)：

5F083FR02 , 5F083GA27 , 5F083JA17 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083PR04 , 5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-038550 出願人：富士通株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-229824 出願人：株式会社日立製作所
集積回路およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-101632 出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (4件)

キャパシタ及び半導体装置と、これらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-122671 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-196615 出願人：セイコーエプソン株式会社
電気デバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-086223 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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