特許
J-GLOBAL ID:200903020328815601

有機膜組成物及びレジストパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 古谷 信也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-184096
公開番号(公開出願番号):特開2006-010779
出願日: 2004年06月22日
公開日(公表日): 2006年01月12日
要約:
【課題】 2層フォトレジストプロセスにおいて上層レジストと下層膜とのインターミキシングレイヤーを生ずることなく良好なアンダーカット形状を形成できる実用性の高い下層用組成物及びレジストパターン形成方法を提供する。【解決の手段】 基板上に形成した下層有機膜と上層ポジ型フォトレジスト膜との2層の膜を、マスクを介して露光し、現像することによりアンダーカット形状を有するレジストパターンを上記基板上に形成するための上記下層有機膜用の組成物であって、3-メチルフェノールと4-メチルフェノールとの混合物であるフェノール成分(A1)と、芳香族アルデヒド及びホルムアルデヒドからなるアルデヒド成分(A2)とを縮合してなるアルカリ可溶性樹脂(A)と、溶剤(B)とからなる下層有機膜組成物、及び、これを用いたレジストパターン形成方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上に形成した下層有機膜と上層ポジ型フォトレジスト膜との2層の有機膜を、マスクを介して露光し、現像することによりアンダーカット形状を有するレジストパターンを前記基板上に形成するための前記下層有機膜用の組成物であって、 (A1)3-メチルフェノールと4-メチルフェノールとの混合物であるフェノール成分と、 (A2)芳香族アルデヒド及びホルムアルデヒドからなるアルデヒド成分 とを縮合してなるアルカリ可溶性樹脂(A)と、溶剤(B)とを含有することを特徴とする有機膜組成物。
IPC (4件):
G03F 7/023 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027
FI (6件):
G03F7/023 511 ,  G03F7/022 601 ,  G03F7/26 511 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 573 ,  H01L21/30 576
Fターム (21件):
2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE01 ,  2H025CB29 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC03 ,  2H025DA13 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA10 ,  2H096EA02 ,  2H096GA08 ,  2H096KA03 ,  2H096KA06 ,  5F046NA05 ,  5F046NA12
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (11件)
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