特許
J-GLOBAL ID：200903020407122557
半導体素子の配線接合方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 寿一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-008577
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177307
出願日： 2007年01月17日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：
【課題】従来の半導体素子の配線接合方法のように、テープ状に形成したワイヤを超音波接合しようとすると、半導体素子に加わる超音波エネルギーが大きくなり、該半導体素子にダメージを与える恐れがあった。【解決手段】パワー半導体素子21表面の端子21aと配線31とを接合材36a・36bを介在させた状態で積層し、前記配線31の表面にレーザー光51を照射することにより、前記端子21aと配線31との接合部を局所的に加熱して、前記端子21aと配線31との接合を行うパワー半導体素子21の配線接合方法であって、予め接合部の温度と接合部に対するレーザー入熱量との関係を求めておき、前記接合部の温度と接合部に対するレーザー入熱量との関係を用いて、接合部の温度が前記接合材36a・36bの溶融温度以上かつパワー半導体素子21の耐熱温度以下の範囲の温度となるように、レーザー照射による接合部に対するレーザー入熱量を設定する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体素子表面の端子と配線とを接合材を介在させた状態で積層し、前記配線の表面にレーザー光を照射することにより、前記端子と配線との接合部を局所的に加熱して、前記端子と配線との接合を行う半導体素子の配線接合方法であって、
予め接合部の温度と接合部に対するレーザー入熱量との関係を求めておき、
前記接合部の温度と接合部に対するレーザー入熱量との関係を用いて、
接合部の温度が前記接合材の溶融温度以上かつ半導体素子の耐熱温度以下の範囲の温度となるように、レーザー照射による接合部に対するレーザー入熱量を設定する、
ことを特徴とする半導体素子の配線接合方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L23/48 G
, H01L23/48 Q
, H01L21/60 321E
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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