特許

J-GLOBAL ID：200903020524380079

半導体装置の製造方法

発明者： 中田 義弘 ,  今田 忠紘 ,  尾崎 史朗 ,  小林 靖志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-071424
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235479
出願日： 2007年03月19日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：

【課題】 多孔質シリカ前駆体膜を用い、研磨を行なってもマイクロスクラッチや剥離の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)半導体ウエハの下地上に、ノンテンプレートタイプの多孔質シリカ前駆体膜をスピン塗布する工程と、(b)多孔質シリカ前駆体膜の外周から内側に向けて走査しつつリンス液を噴射する工程を含み、多孔質シリカ前駆体膜の外周部で外側に向かって厚さが減少する傾斜部を形成する工程と、(c)多孔質シリカ前駆体膜をキュア処理して多孔質シリカ膜に変換する工程と、を含む。【選択図】 図1-1

請求項（抜粋）：

(a)半導体ウエハの下地上に、多孔質シリカ前駆体膜をスピン塗布する工程と、 (b)多孔質シリカ前駆体膜の外周から内側に向けて走査しつつ、ノズルからリンス液を噴射する工程を含み、多孔質シリカ前駆体膜の外周部で外側に向かって厚さが減少する傾斜部を形成する工程と、 (c)多孔質シリカ前駆体膜をキュアして多孔質シリカ膜に変換する工程と、 を含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L21/316 G ,  H01L21/90 Q

Fターム (52件)：

5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033VV07 ,  5F033WW00 ,  5F033WW01 ,  5F033XX12 ,  5F033XX17 ,  5F033XX24 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 埋め込み配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-395688   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法およびウエハ構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-266264   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-207083   出願人：沖電気工業株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体ウエハ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-198595   出願人：富士通株式会社
• 多孔質膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-099670   出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ, 日立化成工業株式会社
• 処理装置及び処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-190174   出願人：東京エレクトロン株式会社