特許
J-GLOBAL ID:200903020628572115
触媒支援型化学加工方法及び装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
渡邉 勇
, 堀田 信太郎
, 小杉 良二
, 廣澤 哲也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-328331
公開番号(公開出願番号):特開2008-081389
出願日: 2006年12月05日
公開日(公表日): 2008年04月10日
要約:
【課題】難加工物、特に近年電子デバイスの材料として重要性が高まっているSiCやGaN等を、加工効率が高く且つ数十μm以上の空間波長領域にわたって精度が高く加工する。【解決手段】フッ化水素酸等のハロゲンを含む分子が溶けた処理液22中に、GaNやSiC等の被加工物28を配し、モリブデンまたはモリブデン化合物からなる触媒26を被加工物28の被加工面に接触または極近接させながら該触媒26と被加工物28とを相対移動させて被加工物28の被加工面を加工する。【選択図】図25
請求項(抜粋):
ハロゲンを含む分子が溶けた処理液中に被加工物を配し、モリブデンまたはモリブデン化合物からなる触媒を被加工物の被加工面に接触または極近接させながら該触媒と被加工物とを相対移動させて被加工物の被加工面を加工することを特徴とする触媒支援型化学加工方法。
IPC (3件):
C30B 33/00
, B24B 1/00
, H01L 21/304
FI (6件):
C30B33/00
, B24B1/00 B
, B24B1/00 A
, B24B1/00 Z
, H01L21/304 622C
, H01L21/304 622R
Fターム (24件):
3C049AA07
, 3C049AC04
, 3C049CA05
, 3C049CB01
, 3C049CB03
, 4G077AA02
, 4G077BA03
, 4G077BA04
, 4G077BB01
, 4G077BE08
, 4G077BE15
, 4G077FG05
, 4G169AA02
, 4G169BA13A
, 4G169BB02A
, 4G169BB02B
, 4G169BC33A
, 4G169BC59A
, 4G169BC59B
, 4G169BC75A
, 4G169CD10
, 4G169DA05
, 4G169EA02X
, 4G169EA02Y
引用特許:
出願人引用 (8件)
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特公平2-25745号公報
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特公平7-16870号公報
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特公平6-44989号公報
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高速剪断流による加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-347596
出願人:科学技術振興事業団
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特許第2962583号公報
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特許第3069271号公報
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特許第3734722号公報
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触媒支援型化学加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-299263
出願人:山内和人, 佐野泰久
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審査官引用 (3件)
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