特許
J-GLOBAL ID：200903020874468190

プラズマを利用した表面処理装置及び方法

発明者：
ジョン-ホ キム

ジョン-ホ キム について

, 
ギル-ガン リー

ギル-ガン リー について


出願人/特許権者：
エーピーエル カンパニー,リミテッド

エーピーエル カンパニー,リミテッド について


代理人 (1件)： 竹内 裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-000292
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289596
出願日： 2002年01月07日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板表面の自然酸化膜、化学的酸化膜、及びシリコン基板表面の損傷部位、メタル表面の汚染物質などを除去するためのプラズマを利用した表面処理装置及び方法の提供。【解決手段】 プラズマ発生部と基板との間に接地されたグリッドまたはバッフルを備えて電荷を吸収することにより、ラジカルのみを基板に通過させ、第2工程ガスとしてHFガスを使用する。従って、コンタクトホールの食刻のときシリコン基板上に形成された自然酸化膜、化学的酸化膜、または損傷部位が除去され、各ウェーハ工程の後、コンディショニングガスを流入させてチェンバー内の環境を一定に保持することにより工程再現性を向上させる。
請求項（抜粋）：
絶縁層を含んで少なくとも1つ以上の層を有するシリコン基板上にコンタクトホールを形成するための食刻のとき発生する望まない酸化膜及び損傷部位を除去するためのプラズマを利用した表面処理方法において、前記酸化膜の上にポリマー膜を形成するステップと、アニーリングして前記ポリマー膜及び前記酸化膜を除去するステップと、前記シリコン基板の表面の損傷部位を除去するステップと、からなることを特徴とするプラズマを利用した表面処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 645 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L 21/304 645 C ,  H05H 1/46 B ,  H01L 21/302 N
Fターム (19件)：
5F004AA06 ,  5F004AA14 ,  5F004BA03 ,  5F004BA20 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA11 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA20 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA29 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004EA13 ,  5F004EB01 ,  5F004FA01
引用特許：
審査官引用 (8件)
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