特許
J-GLOBAL ID：200903020892419201

半導体装置およびその製造方法

発明者：
油谷 直毅

油谷 直毅 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-361477
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173250
出願日： 2004年12月14日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：
【課題】 優れた特性を有するとともに信頼性が向上し、またSiCウエハを用いることができると。【解決手段】 SiCチップ9には、複数個のショットキーバリアダイオードのユニット10が形成され、各ユニット10は独立した外部出力電極4を持っている。SiCチップ9に形成されたユニット10のうち良品ユニットの外部出力電極4のみに、バンプ11(直径が数10〜数100μm)が形成され、耐圧がなかったりリーク電流が多かったりする不良品ユニットの外部出力電極4の上にはバンプは形成されていない。不良品ユニットにはバンプが形成されていないので、ショットキーバリア側電極3は外部出力電極4からバンプ11、配線基板12の配線層13、外部リード13aへと外部と並列接続され、良品のユニット10の外部出力電極4のみが並列に接続されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体チップに形成された複数の半導体素子ユニットと、この半導体素子ユニット毎に、互いに独立して形成された外部出力電極と、良品と不良品の半導体素子ユニットの内、良品の半導体素子ユニットの上記外部出力電極に選択的に形成されたバンプと、このバンプと電気的に接続された配線層を設けた配線基板とを備えた半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/66 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (3件)：
H01L21/92 604A ,  H01L21/66 A ,  H01L29/48 D
Fターム (13件)：
4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH00 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AD26 ,  4M106DA20
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (10件)
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