特許
J-GLOBAL ID：200903020958234186

半導体素子のキャパシタ及びその製造方法

発明者：
ジァエ-ヒュン ジョー

ジァエ-ヒュン ジョー について


出願人/特許権者：
ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カンパニー リミテッド

ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カンパニー リミテッド について


代理人 (1件)： 笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356418
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277701
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体からなる薄膜内に圧縮応力を誘発させて誘電特性を向上することができる半導体素子のキャパシタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10と、内部を導電性物質で充填したコンタクトプラグ30を有する層間絶縁膜20と、前記コンタクトプラグを覆うように前記層間絶縁膜の上面に形成された拡散防止膜40と、該拡散防止膜の上面に形成された下部電極50と、該下部電極の上面に形成された誘電膜60と、該誘電膜の上面に形成された上部電極70と、前記誘電膜で圧縮応力を誘発させるように前記上部電極に隣接して形成された異種膜80'、90'と、から構成されたものである。これにより、強誘電体からなる薄膜内に圧縮応力を誘発させて誘電特性を向上することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、内部に導電性物質が充填されたコンタクトプラグを有し前記半導体基板の上面に形成された層間絶縁膜と、前記コンタクトプラグを覆うように前記層間絶縁膜の上面に形成された拡散防止膜と、該拡散防止膜の上面に形成された下部電極と、該下部電極の上面に形成された誘電膜と、該誘電膜の上面に形成された上部電極と、前記誘電膜で圧縮応力を誘発させるように前記上部電極に隣接して形成された異種膜と、を備えて構成されたことを特徴とする半導体素子のキャパシタ。
IPC (3件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/00
FI (2件)：
H01L 27/04 C ,  H01L 27/00
Fターム (8件)：
5F038AC02 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20
引用特許：
審査官引用 (6件)
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