特許
J-GLOBAL ID：200903020996431688
固体撮像素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-272786
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093175
出願日： 2004年09月21日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】 ノイズ特性等に影響を与える金属不純物を、アクティブ領域から効果的に除去した固体撮像素子を、生産性を確保できる枠組みの中で提供する。【解決手段】 軽元素(H、He)の高濃度注入により生じるキャビティ層を固体撮像素子のゲッタリング構造形成に利用する。このキャビティは軽元素ピーク濃度1020atoms/cm2程度で形成でき、かつその内部表面の高密度なダングリングボンドにより高効率に金属不純物をゲッタリングできるため、生産性を確保しつつ強力なゲッタリング能力を発揮させられる。また軽元素の加速が容易であることを利用して、良好な生産性にて所望の深い位置に近接ゲッタリング層を形成し、ノイズ特性の良好な固体撮像素子のゲッタリング構造を得る。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板に入射光量に応じて信号電荷を生成する光電変換領域と、前記信号電荷を電気信号に変換して出力する出力部とを少なくとも設けた固体撮像素子であって、
前記半導体基板中に存在する金属不純物のゲッタリングを行い、前記光電変換領域、及び出力部の少なくとも一部分から金属不純物を離隔するキャビティ層を設けたことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118DA03
, 4M118EA01
, 4M118EA15
, 4M118EA20
, 4M118FA06
, 4M118FA13
, 4M118FA26
, 4M118FA35
, 4M118GD04
, 4M118GD07
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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