特許
J-GLOBAL ID:200903021132915744

半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-419433
公開番号(公開出願番号):特開2004-274027
出願日: 2003年12月17日
公開日(公表日): 2004年09月30日
要約:
【課題】 放熱性に優れるとともに、光の指向性を適切に制御することができる半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置を提供する。【解決手段】 半導体発光装置は、主表面1aを有するリードフレーム1と、LEDチップ4と、LEDチップ4を完全に覆うように設けられたエポキシ樹脂6と、LEDチップ4を囲むように設けられた樹脂部3とを備える。エポキシ樹脂6は、頂面6aを含む。樹脂部3は、主表面1aからの距離が主表面1aから頂面6aまでの距離よりも大きい位置に設けられた頂面3aと、LEDチップ4が位置する側において主表面1aから離隔する方向に延在し、頂面3aに連なる内壁3bとを含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
第1の領域と、前記第1の領域の周縁に沿って延在する第2の領域とが規定された主表面を有するリードフレームと、 前記第1の領域に設けられた半導体発光素子と、 前記半導体発光素子から発せられた光に対して第1の反射率を有し、前記半導体発光素子を完全に覆うように前記第1の領域に設けられた第1の樹脂部材と、 前記半導体発光素子から発せられた光に対して前記第1の反射率よりも大きい第2の反射率を有し、前記半導体発光素子を囲むように前記第2の領域に設けられた第2の樹脂部材とを備え、 前記第1の樹脂部材は、第1の頂面を含み、 前記第2の樹脂部材は、前記主表面からの距離が前記主表面から前記第1の頂面までの距離よりも大きい位置に設けられた第2の頂面と、前記半導体発光素子が位置する側において前記主表面から離隔する方向に延在し、前記第2の頂面に連なる内壁とを含む、半導体発光装置。
IPC (1件):
H01L33/00
FI (1件):
H01L33/00 N
Fターム (10件):
5F041AA06 ,  5F041AA47 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA17 ,  5F041DA22 ,  5F041DA44 ,  5F041DA57 ,  5F041DA58 ,  5F041FF11
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (14件)
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