特許
J-GLOBAL ID：200903021487821350

表面実装型発光ダイオード

発明者：
リー,ヒュン-ウー

リー,ヒュン-ウー について


出願人/特許権者：
ティーシーオー カンパニーリミテッド

ティーシーオー カンパニーリミテッド について


代理人 (1件)： 小倉 正明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-545019
公開番号（公開出願番号）：特表2006-514426
出願日： 2003年09月01日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
本発明は表面実装型の発光ダイオード(Light Emitting Diode)に関する。発光源であるInGaN,GaN系の発光ダイオード・チップを反射率が高い銀メッキをしたリード・フレームのダイパット・カップ面に実装することによってチップから全体的に反射する光の粒子を前方へ放射させ,パッケージのレンズ表面での光輝度を向上するようにした。InGaN,GaN系の発光ダイオードチップをダイボンディング・ワイヤボンディングし,同じ平面上のリード・フレームの下端部よりパッケージ下端部の光透過エポキシが10〜50μm程度の突出になるように光透過エポキシ樹脂でモールディングし,貫通ホールでパッケージ上部と下部を固定することで従来の超小型発光ダイオード素子の厚さ問題を解決し,低い光効率の問題と高価の材料費問題,時間による光輝度低下の問題点及び大量生産の難題を改善した発光効率が優れ,信頼性が優秀な超小型,超薄型,超軽量の表面実装型のチップタイプ発光ダイオードを提供できる。
請求項（抜粋）：
陽極リードフレーム(D)と陰極リードフレーム(C)に構成されているリードフレーム(I)と, 前記リードフレーム(I)のダイ・パット・カップ(E1)にドッティングする絶縁性光透過エポキシ接着剤(E)と,
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (7件)：
5F041AA44 ,  5F041AA47 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA17 ,  5F041DA44 ,  5F041DB09
引用特許：
審査官引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM