特許
J-GLOBAL ID：200903021565446536

光電変換装置及びその製造方法

発明者：
大倉 央

大倉 央 について

, 
田 透

田 透 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-095763
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297444
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 低コストで作製が可能で、変換効率の高い光電変換装置、特に、太陽電池に好適な光電変換装置を提供する。特に、グレッツエル型太陽電池において半導体微粒子層の伝導効率及び再結合損失を改善する。【解決手段】 一対の基板間に、n型の電荷輸送層、光吸収層、p型の電荷輸送層を有する光電変換装置において、n型の電荷輸送層は、側面に凹凸を有する針状結晶17で構成する。また、側面に凹凸を有する針状結晶は針状結晶をエッチングすることにより作製する。
請求項（抜粋）：
一対の基板間に、n型の電荷輸送層、光吸収層、p型の電荷輸送層を有する光電変換装置において、前記n型の電荷輸送層は、少なくとも側面に凹凸を有する針状結晶であることを特徴とする光電変換装置。
IPC (2件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件)：
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
Fターム (14件)：
5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051CB21 ,  5F051CB30 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB06 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH01
引用特許：
審査官引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM