特許
J-GLOBAL ID：200903022066482854
薄膜トランジスタおよびその製造方法、液晶表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-097329
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345978
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】 OFF電流が少なく、信頼性の高いTFTを得る。【解決手段】 低濃度のn-型ソース・ドレイン領域5と高濃度のn+型ソース・ドレイン領域12との間に不純物濃度が1×1018cm-3以上でかつ1×1020cm-3未満の中濃度のn*型ソース・ドレイン領域11を設ける。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板と、この絶縁性基板上に形成されたポリシリコンを用いた半導体層と、この半導体層に接して形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜に接して形成されたゲート電極と、このゲート電極に対応する前記半導体層の領域に形成された活性層と、この活性層の外側の前記半導体層に形成された不純物濃度が1×1018cm-3以上でかつ1×1020cm-3未満の第1の半導体領域と、この第1の半導体領域の外側の前記半導体層に形成された不純物濃度が前記第1の半導体領域よりも高くかつ前記第1の半導体領域と同じ導電型の第2の半導体領域と、を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 616 A
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 616 M
