特許
J-GLOBAL ID:200903022162951156
基板処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
油井 透
, 阿仁屋 節雄
, 清野 仁
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-195055
公開番号(公開出願番号):特開2009-032890
出願日: 2007年07月26日
公開日(公表日): 2009年02月12日
要約:
【課題】 基板上に形成する薄膜の厚さの均一性を向上させる。【解決手段】 複数の基板を上下方向に亘って所定のピッチで積層した状態で支持する基板支持部材を収容する処理管と、処理管内に基板を積層する方向に亘って延在され、複数のガス供給口を備えたガス供給部と、処理管に開口された排気部と、基板支持部材に支持される基板の周縁と処理管の内壁とに挟まれる空間に設けられ、ガス供給部から処理管の周方向かつ基板を積層する方向に亘って延在されたガス整流板と、最上のガス供給口及び最上の基板よりも上側の処理管内の空間と、最下のガス供給口及び最下の基板よりも下側の処理管内の空間とに設けられたガス流規制部と、を備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
複数の基板を上下方向に亘って所定のピッチで積層した状態で支持する基板支持部材を収容する処理管と、
前記処理管内に前記基板を積層する方向に亘って延在され、複数のガス供給口を備えたガス供給部と、
前記処理管に開口された排気部と、
前記基板支持部材に支持される基板の周縁と前記処理管の内壁とに挟まれる空間に設けられ、前記ガス供給部から前記処理管の周方向かつ前記基板を積層する方向に亘って延在されたガス整流板と、
最上のガス供給口及び最上の基板よりも上側の前記処理管内の空間と、最下のガス供給口及び最下の基板よりも下側の前記処理管内の空間とに設けられたガス流規制部と、
を備えた基板処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/31
, H01L 21/22
, H01L 21/324
FI (3件):
H01L21/31 E
, H01L21/22 511S
, H01L21/324 R
Fターム (11件):
5F045AA20
, 5F045AB32
, 5F045BB02
, 5F045BB03
, 5F045DP19
, 5F045DP28
, 5F045DQ05
, 5F045EE20
, 5F045EF03
, 5F045EF14
, 5F045EK06
引用特許:
出願人引用 (3件)
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-234841
出願人:株式会社日立国際電気
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-205950
出願人:株式会社日立国際電気
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-185363
出願人:株式会社日立国際電気
審査官引用 (8件)
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-185363
出願人:株式会社日立国際電気
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-205950
出願人:株式会社日立国際電気
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-352231
出願人:株式会社日立国際電気
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