半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-117409
公開番号（公開出願番号）：特開2005-303018
出願日： 2004年04月13日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】積層構造を採用するパッケージにおいてパッケージの上下面からの放熱を効率良く行う。【解決手段】第1の導体基板13aと第2の導体基板13bとの間にパワー半導体スイッチ素子11Paの主電極ならびにダイオード11Pbの電極をそれぞれ接合して第1の並列接続回路を構成し、第2の導体基板と第3の導体基板13cとの間にパワー半導体スイッチ素子11Naの主電極ならびにダイオード11Nbの電極をそれぞれ接合して第2の並列接続回路を構成し、第1の並列接続回路と第2の並列接続回路とを、前記第2の導体基板を介して直列接続する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の導体基板と第2の導体基板との間にパワー半導体スイッチ素子の主電極ならびにダイオードの電極をそれぞれ接合して第1の並列接続回路を構成し、第2の導体基板と第3の導体基板との間にパワー半導体スイッチ素子の主電極ならびにダイオードの電極をそれぞれ接合して第2の並列接続回路を構成し、第1の並列接続回路と第2の並列接続回路とを、前記第2の導体基板を介して直列接続し、前記第1,第3の導体基板を直流入力端子とし、該第2の導体基板を出力端子としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L25/07 , H01L25/065 , H01L25/18

FI (2件)：

H01L25/04 C , H01L25/08 Z

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-019995 出願人：富士電機株式会社
パワーモジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-176367 出願人：株式会社安川電機
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-362170 出願人：株式会社デンソー

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審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-362170 出願人：株式会社デンソー
加圧接触形半導体素子のスタック構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-342029 出願人：富士電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-212325 出願人：株式会社デンソー

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