特許
J-GLOBAL ID：200903022462130987
半導体光デバイス装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
釜田 淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-316744
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124738
出願日： 2000年10月17日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】【課題】 光出力の損失が少なく、高出力動作時における信頼性が高い半導体光デバイス装置を提供すること。【解決手段】 基板、該基板上に形成された第1導電型クラッド層、該第1導電型クラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形成された第2導電型クラッド層を有する半導体光デバイス装置であって、前記活性層は、該活性層の縦方向の中央に形成される光導波領域と、該光導波領域の両側に形成される、該光導波領域よりもバンドギャップが大きく、かつ屈折率が小さい光閉じ込め領域とからなり、前記光閉じ込め領域の不純物濃度は、前記光閉じ込め領域の真上に位置する前記第2導電型クラッド層の領域Aにおける不純物濃度よりも低いこと。
請求項（抜粋）：
基板、該基板上に形成された第1導電型クラッド層、該第1導電型クラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形成された第2導電型クラッド層を有する半導体光デバイス装置であって、前記活性層は、該活性層の縦方向の中央に形成される光導波領域と、該光導波領域の両側に形成される、該光導波領域よりもバンドギャップが大きく、かつ屈折率が小さい光閉じ込め領域とからなり、前記光閉じ込め領域の不純物濃度は、前記光閉じ込め領域の真上に位置する前記第2導電型クラッド層の領域Aにおける不純物濃度よりも低いことを特徴とする半導体光デバイス装置。
IPC (3件)：
H01S 5/343
, H01S 5/028
, H01S 5/16
H01S 5/343
, H01S 5/028
, H01S 5/16
5F073AA21
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AA86
, 5F073CB02
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA14
, 5F073DA15
, 5F073DA21
, 5F073EA15
, 5F073EA28
