特許
J-GLOBAL ID：200903022491453680

多層配線基板およびその製造方法

発明者：
重岡 俊昭

重岡 俊昭 について

, 
木村 哲也

木村 哲也 について

, 
濱野 智

濱野 智 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-159631
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353626
出願日： 2001年05月28日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】少なくとも内部に金属箔からなる配線回路層が配設された多層配線基板において内部配線回路層の周囲に隙間が発生したり、焼結不良によるボイドの発生によってメッキ処理や高湿雰囲気での水分の侵入によって配線回路層間の絶縁不良が発生することのない多層配線基板を得る。【解決手段】セラミック絶縁層2a〜2dを積層してなる絶縁基板2の少なくとも絶縁層2a〜2d間に金属箔からなる配線回路層3を形成してなる多層配線基板において、金属箔からなる配線回路層3と同一平面内の配線回路層周辺にセラミック絶縁層2a〜2dよりも焼結性に優れた、例えばガラス量がセラミック絶縁層2a〜2dにおけるガラス量よりも多い、ガラスの軟化点がセラミック絶縁層2a〜2dにおけるガラスの軟化点よりも低いセラミック層6を形成する。
請求項（抜粋）：
セラミック絶縁層を積層してなる絶縁基板の少なくとも前記絶縁層間に金属箔からなる配線回路層を形成してなる多層配線基板において、前記金属箔からなる配線回路層と同一平面内の配線回路層周辺に、前記セラミック絶縁層よりも焼結性に優れたセラミック層を配設したことを特徴とする多層配線基板。
FI (3件)：
H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 T
Fターム (24件)：
5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA43 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC37 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346DD12 ,  5E346DD32 ,  5E346DD50 ,  5E346EE24 ,  5E346EE29 ,  5E346FF18 ,  5E346GG03 ,  5E346GG04 ,  5E346GG05 ,  5E346GG07 ,  5E346GG08 ,  5E346GG09 ,  5E346GG22 ,  5E346GG23 ,  5E346HH08
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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