特許
J-GLOBAL ID：200903022555798619
レーザー照射装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-364022
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186189
出願日： 1997年12月17日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 レーザービームの焦点近傍の断面におけるエネルギー分布の変化を抑えて、面内均一性の高い結晶化された半導体膜を得る。【解決手段】 パルスレーザービーム光源と、該光源より照射されるパルスレーザービームを縦横に複数分割した後、分割された各々のビームを線状としてから合成させて、ビーム幅Wを有する線状ビームを得る光学系と、前記線状ビームが照射される半導体膜が設けられた基板を移動させる手段とを有し、前記半導体膜に対し線状レーザービームを走査しながら照射するレーザー照射装置であって、前記半導体膜表面の高低差をr、前記ビーム幅Wの前記高低差rに対する変化量をΔ(r)、前記パルスレーザービーム光源のパルスレーザーの発振周期の間に前記基板が移動するピッチをxとするとき、W/20≦Δ(r)≦x≦W/5、またはΔ(r)≦W/20≦x≦W/5の条件を満たす。
請求項（抜粋）：
パルスレーザービーム光源と、該光源より照射されるパルスレーザービームを縦横に複数分割した後、分割された各々のビームを線状としてから合成させて、ビーム幅Wを有する線状ビームを得る光学系と、前記線状ビームが照射される半導体膜が設けられた基板を移動させる手段とを有し、前記半導体膜に対し線状レーザービームを走査しながら照射するレーザー照射装置であって、前記半導体膜表面の高低差をr、前記ビーム幅Wの前記高低差rに対する変化量をΔ(r)、前記パルスレーザービーム光源のパルスレーザーの発振周期の間に前記基板が移動するピッチをxとするとき、W/20≦Δ(r)≦x≦W/5の条件を満たしていることを特徴とする半導体膜のレーザー照射装置。
IPC (4件)：
H01L 21/268
, H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/268 J
, H01L 21/268 G
, H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
