特許
J-GLOBAL ID：200903022584661371

半導体パワーモジュール

発明者：
曽我 太佐男

曽我 太佐男 について

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川瀬 大助

川瀬 大助 について

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鈴木 和弘

鈴木 和弘 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-174472
公開番号（公開出願番号）：特開2006-351737
出願日： 2005年06月15日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】パワーモジュールの反りを防止するだけでなく、ハンダの熱疲労寿命と耐湿性を同時に向上させたバランスの優れた樹脂封止構造の半導体パワーモジュールを提供すること。【解決手段】半導体パワーモジュールは、予め柔らかいポリイミド系もしくはポリアミドイミド系樹脂でモジュール実装面全体もしくは一部、及びワイヤ周囲を薄く塗布・被覆して硬化後、3〜20GPaの低ヤング率で、ハンダの線膨張係数(12×10-6〜30×10-6/°C)に合わせた物性のエポキシ系樹脂10で半導体チップ1毎に封止した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板に形成した回路にハンダを介して接合した複数の半導体チップと、該半導体チップに接合した配線部材とを有する半導体パワーモジュールにおいて、 前記半導体チップと配線部材が第1の樹脂と、該第1の樹脂の上に配置した第2の樹脂とで被覆されており、該第2の樹脂による被覆部が複数あることを特徴とする半導体パワーモジュール。
IPC (4件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件)：
H01L23/30 B ,  H01L25/04 C
Fターム (5件)：
4M109AA01 ,  4M109EA02 ,  4M109EA07 ,  4M109EC01 ,  4M109EC05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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