特許
J-GLOBAL ID：200903022601950307

III族窒化物半導体薄膜およびIII族窒化物半導体発光素子

発明者：
酒井 士郎

酒井 士郎 について

, 
直井 美貴

直井 美貴 について

, 
崔洛俊

崔洛俊 について


出願人/特許権者：
国立大学法人徳島大学

国立大学法人徳島大学 について

, 
三星電機株式会社

三星電機株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-077492
公開番号（公開出願番号）：特開2007-254175
出願日： 2006年03月20日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：
【課題】より高品質のIII族窒化物半導体薄膜およびそれを用いたIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】縞状に複数の溝が形成された(1-102)面(いわゆるr面)のサファイア基板110上に、AlInNからなるバッファ層120を、MOCVD装置を用いて常圧のもとで形成し、該バッファ層120上に、Al/In/Ga/Nからなる中間層130を、パルス原子層エピタキシー法によって形成し、その中間層130の上に(11-20)面(いわゆるa面)のGaN層を高温でエピタキシャル成長する。これによりIII族窒化物半導体薄膜を得る。また、そのIII族窒化物半導体薄膜を基板としてIII族窒化物半導体発光素子を作成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面に凹凸が形成された基板と、 前記基板上に位置し、III族窒化物からなるバッファ層と、 前記バッファ層上に位置し、(11-20)面の窒化ガリウムからなるエピタキシャル成長層と、 を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体薄膜。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C
Fターム (39件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC14 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (1件)
引用文献：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM