特許
J-GLOBAL ID：200903022616201599

低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法および該方法より得られる低誘電率非晶質シリカ系被膜

発明者：
江上 美紀

江上 美紀 について

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中島 昭

中島 昭 について

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小松 通郎

小松 通郎 について


出願人/特許権者：
触媒化成工業株式会社

触媒化成工業株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 政久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-231202
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053657
出願日： 2006年08月28日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】 比誘電率が3.0以下と小さく、しかもヤング弾性率が3.0 GPa以上の被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に安定的に形成する方法に関する。【解決手段】 (a)テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程、(b)必要に応じて、前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を25〜340°Cの温度条件下で乾燥する工程、(c)前記装置内に過熱水蒸気を導入し、前記被膜を105〜450°Cの温度条件下で加熱して加熱処理する工程、および(d)必要に応じて、前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を350〜450°Cの温度条件下で焼成する工程を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
比誘電率が3.0以下で、高い被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に形成する方法であって、 (1)テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド(TAAOH)の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程(塗布工程)、 (2)前記基板を装置内に収納し、該基板上に形成された被膜を25〜340°Cの温度条件下で乾燥する工程(乾燥工程)、 (3)前記装置内に過熱水蒸気を導入して、前記被膜を105〜450°Cの温度条件下で加熱処理する工程(加熱処理工程)、および (4)前記装置内に窒素ガスを導入して、前記被膜を350〜450°Cの温度条件下で焼成する工程(焼成工程)、 を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。
IPC (6件)：
H01L 21/316 ,  C09D 183/00 ,  C09D 183/04 ,  C09D 183/02 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (6件)：
H01L21/316 G ,  C09D183/00 ,  C09D183/04 ,  C09D183/02 ,  H01L21/90 J ,  H01L21/90 Q
Fターム (37件)：
4J038AA011 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038DL071 ,  4J038DL101 ,  4J038HA066 ,  4J038NA11 ,  4J038NA21 ,  4J038PA15 ,  4J038PA19 ,  4J038PA20 ,  4J038PB09 ,  5F033RR25 ,  5F033SS22 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW09 ,  5F058AA02 ,  5F058AA04 ,  5F058AA05 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02 ,  5F058BA04 ,  5F058BA07 ,  5F058BA08 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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