特許
J-GLOBAL ID：200903022950917201

化学増幅レジストパターンの形成方法および装置

発明者：
中野 博之

中野 博之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-038852
公開番号（公開出願番号）：特開平9-211870
出願日： 1996年02月01日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 SOGの下地基板上に化学増幅レジストパターンを形成する場合に、レジストパターンの裾広がりを防止し、パターニング精度の向上を図った化学増幅レジストパターンの形成方法および装置を提供する。【解決手段】 基板上にSOG酸化膜を形成し、このSOG酸化膜を化学増幅レジストを用いてパターニングする化学増幅レジストパターンの形成方法において、基板上にSOGを塗布した後、その酸化前にSOGの緻密化処理を行う。
請求項（抜粋）：
基板上にSOG酸化膜を形成し、このSOG酸化膜を化学増幅レジストを用いてパターニングする化学増幅レジストパターンの形成方法において、基板上にSOGを塗布した後、その酸化前にSOGの緻密化処理を行うことを特徴とする化学増幅レジストパターンの形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/38 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/302
FI (3件)：
G03F 7/38 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/302
引用特許：
審査官引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM