特許
J-GLOBAL ID:200903022963442741
デバイスの製造方法及びデバイス、電気光学素子、プリンタ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
西 和哉
, 志賀 正武
, 青山 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-145077
公開番号(公開出願番号):特開2005-327919
出願日: 2004年05月14日
公開日(公表日): 2005年11月24日
要約:
【課題】 任意の平面形状を有する強誘電体層や圧電体層を有するデバイスについて、特にその強誘電体層や圧電体層が本来の特性を発揮するよう、エッチングによるダメージをなくすようにした製造方法と、これによって得られる、強誘電体素子や圧電体素子等のデバイスを提供する。【解決手段】 基体1上に、下部電極3を形成する工程と、基体1上に、下部電極3に隣接する凸部5を形成する工程と、下部電極3上に、強誘電体材料又は圧電体材料を供給し、強誘電体層又は圧電体層6を形成する工程と、を含むデバイスの製造方法。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基体上に、下部電極を形成する工程と、
前記基体上に、前記下部電極に隣接する凸部を形成する工程と、
前記下部電極上に、強誘電体材料又は圧電体材料を供給し、強誘電体層又は圧電体層を形成する工程と、を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
IPC (9件):
H01L41/22
, B41J2/045
, B41J2/055
, B41J2/16
, H01L21/316
, H01L27/105
, H01L41/09
, H01L41/18
, H01L41/187
FI (14件):
H01L41/22 Z
, H01L21/316 B
, H01L27/10 444B
, H01L41/08 L
, H01L41/08 C
, H01L41/08 J
, H01L41/18 101A
, H01L41/18 101B
, H01L41/18 101C
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 101F
, H01L41/18 101J
, B41J3/04 103A
, B41J3/04 103H
Fターム (39件):
2C057AF93
, 2C057AG12
, 2C057AG44
, 2C057AN01
, 2C057AP02
, 2C057AP14
, 2C057AP52
, 2C057AP53
, 2C057BA04
, 2C057BA14
, 5F058BA11
, 5F058BA20
, 5F058BC03
, 5F058BC05
, 5F058BD05
, 5F058BD07
, 5F058BF02
, 5F058BF11
, 5F058BF27
, 5F058BF41
, 5F058BF46
, 5F058BJ04
, 5F083FR03
, 5F083GA27
, 5F083JA13
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA38
, 5F083JA43
, 5F083JA45
, 5F083JA60
, 5F083LA03
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA20
, 5F083NA02
, 5F083PR21
, 5F083PR23
, 5F083PR40
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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