半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工藤実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-015848
公開番号（公開出願番号）：特開2007-288137
出願日： 2007年01月26日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】新規STI構造を有する半導体装置の提供。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、トレンチ5を有する基板1と、そのトレンチ5内に形成された素子分離構造40とを備える。その素子分離構造40は、界面酸化膜20を介して基板1の表面上に形成されたシリコン酸窒化膜(SiON膜)10と、シリコン酸窒化膜10上に形成された埋設絶縁膜30とを有する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

トレンチを有する基板と、前記トレンチ内に形成された素子分離構造とを備え、前記素子分離構造は、界面酸化膜を介して前記基板表面上に形成されたシリコン酸窒化膜と、前記シリコン酸窒化膜上に形成された埋設絶縁膜とを有する半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/76 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/08 , H01L 21/824 , H01L 27/108

FI (5件)：

H01L21/76 L , H01L27/06 102A , H01L27/08 331A , H01L27/10 621C , H01L27/10 681D

Fターム (47件)：

5F032AA35 , 5F032AA36 , 5F032AA37 , 5F032AA45 , 5F032AA46 , 5F032AA70 , 5F032AA77 , 5F032CA14 , 5F032CA17 , 5F032DA02 , 5F032DA23 , 5F032DA33 , 5F032DA74 , 5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BC01 , 5F048BF03 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG03 , 5F048BG14 , 5F048DA27 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083GA06 , 5F083HA07 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR05 , 5F083PR18 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-141584 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (7件)

シリコン基板に分離領域を形成する方法および分離領域の構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-008743 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト, 株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-204617 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-203351

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