特許
J-GLOBAL ID：200903017300542447
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-321329
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144170
出願日： 1999年11月11日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 STIの上端部に落ち込み部を発生させず、かつ、バーズビークによる活性領域面積の低下を小さく抑える。【解決手段】 パターニングされた窒化シリコン膜4をマスクとしてシリコン基板1へトレンチを形成する前に、シリコン基板1の主面が露出するまでエッチングを実行する。その後、酸化シリコン膜2およびポリシリコン膜3の露出する側壁、ならびに、シリコン基板1の露出する表面を酸化窒化することにより、酸化窒化シリコン膜6が形成される。その後、トレンチが形成され、その内壁に酸化シリコン膜が形成された後、トレンチが絶縁物で充填される。内壁に酸化シリコン膜が形成される過程で、酸化シリコン膜2およびポリシリコン膜3の側壁に、バーズビークが形成される。酸化窒化シリコン膜6はバーズビークの過度の成長を抑制するとともに、バーズビークの落ち込み部の発生を防止する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面を複数の領域に分離する素子分離構造が前記主面に選択的に形成されており、前記複数の領域の各々に、半導体素子が作り込まれている半導体装置であって、前記素子分離構造は、前記主面に選択的に形成されたトレンチの内壁に接する酸化半導体膜を含むように前記内壁に形成され、前記トレンチの開口端部において厚くなった部分であるバーズビークを有し、当該バーズビークに酸化窒化半導体が含まれている内壁絶縁膜と、前記内壁絶縁膜を挟んで前記トレンチに充填された絶縁物と、を備える半導体装置。
Fターム (22件)：
5F032AA09
, 5F032AA34
, 5F032AA36
, 5F032AA44
, 5F032AA45
, 5F032AA54
, 5F032AA67
, 5F032AC01
, 5F032CA17
, 5F032DA02
, 5F032DA04
, 5F032DA23
, 5F032DA24
, 5F032DA25
, 5F032DA28
, 5F032DA30
, 5F032DA33
, 5F032DA43
, 5F032DA53
, 5F032DA58
, 5F032DA60
, 5F032DA74
