特許
J-GLOBAL ID：200903023089206354
ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-132208
公開番号（公開出願番号）：特開2009-283566
出願日： 2008年05月20日
公開日（公表日）： 2009年12月03日
要約：
【課題】デバイス領域とそれを囲む外周余剰領域の表面高さが異なっていても、アブレーションを起こすことなく内部にストリートに沿って変質層を形成することができるウエーハのレーザー加工方法を提供する。【解決手段】ウエーハ表面に格子状に配列されたストリートによって区画されたデバイス領域とそれを囲む外周余剰領域とを有し、デバイス領域の表面が外周余剰領域の表面より高く形成されているウエーハ内部に、ストリートに沿って変質層を積層形成するレーザー加工方法であって、ウエーハ表面側から外周余剰領域とデバイス領域の内部に集光してレーザー光線を照射する第1の変質層形成工程と、外周余剰領域の表面付近に集光点が位置付けられる場合には外周余剰領域にはレーザー光線を照射せず、デバイス領域の内部にレーザー光線の集光点を位置付けてデバイス領域にレーザー光線を照射しストリートに沿って変質層を形成する第2の変質層形成工程とを含む。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
表面に格子状に配列された複数のストリートによって複数の領域が区画されるとともに該区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、該デバイス領域の表面が該外周余剰領域の表面より高く形成されているウエーハに、該ウエーハの表面側から内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該ストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に該ストリートに沿って変質層を積層して形成するウエーハのレーザー加工方法であって、
ウエーハの表面側から該外周余剰領域および該デバイス領域の内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該ストリートに沿って該外周余剰領域および該デバイス領域にレーザー光線を照射し、該外周余剰領域および該デバイス領域の内部に該ストリートに沿って変質層を形成する第1の変質層形成工程と、
該外周余剰領域の表面付近にレーザー光線の集光点が位置付けられる場合には、該外周余剰領域にはレーザー光線を照射しないで該デバイス領域の内部にレーザー光線の集光点を位置付けて該ストリートに沿って該デバイス領域にレーザー光線を照射し、該デバイス領域の内部に該ストリートに沿って変質層を形成する第2の変質層形成工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, B23K 26/00
, B23K 26/06
H01L21/78 B
, B23K26/00 H
, B23K26/06 A
4E068AH00
, 4E068CA09
, 4E068CA11
, 4E068CB02
, 4E068CE04
, 4E068DA10
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
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