特許
J-GLOBAL ID：200903023253237134
透明導電膜及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
倉内 義朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-300521
公開番号（公開出願番号）：特開2004-139747
出願日： 2002年10月15日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】有機ELディスプレイの透明電極、LEDやLDの透明電極として用いるために、透過率と表面抵抗率との良好な値を維持した状態で、その表面平坦性とその表面仕事関数W.F.を良好にする。【解決手段】ITO薄膜は、ガラス基板上に形成され、イオンを照射することにより表面が平坦化および高仕事関数化される。このイオンは、例えば、酸素ガス、窒素ガス、アルゴンガスのうちいずれか1つの単一ガス、またはこれらガスを混合した混合ガスから生成される。このイオンを-300〜-10Vの加速電圧により、ガラス基板上に形成されたITO薄膜に照射することにより、ITO薄膜の表面平坦化及び高仕事関数化を図る。この表面平坦化及び高仕事関数化とは、表面平均粗さRaを1nm以下に、表面高低差Rzを10nm以下に平坦化して、表面仕事関数W.F.を約5〜6eVすることである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成され、イオンを照射することにより表面が平坦化および高仕事関数化される透明導電膜であって、
インジウム元素を含有する酸化物からなり、前記イオンを-300〜-10Vの加速電圧により照射することにより、表面平均粗さRaが1nm以下に、表面高低差Rzが10nm以下に平坦化され、且つ、表面仕事関数W.F.が約5〜6eVであることを特徴とする透明導電膜。
IPC (4件)：
H01B5/14
, H01B13/00
, H05B33/14
, H05B33/28
H01B5/14 A
, H01B13/00 503B
, H05B33/14 A
, H05B33/28
3K007AB05
, 3K007AB08
, 3K007AB11
, 3K007CB01
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 5F041CA88
, 5F041CA98
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FC10
, 5G323BA02
, 5G323BB05
