特許
J-GLOBAL ID：200903023257537744
マスク成膜方法,マスク
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-001153
公開番号（公開出願番号）：特開2006-188731
出願日： 2005年01月06日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】 マスクにおける撓み発生を防止ないし抑制し、高精度な蒸着等のマスク成膜を容易に行うことができる成膜方法を提供する。【解決手段】 本発明の成膜方法は、マスク1を介して被成膜基板4に膜パターンを形成する成膜方法であって、成膜材料の供給源12側から、前記マスク1と、前記被成膜基板4と、該被成膜基板4との接面が平坦な第1部材5とを順に配設し、前記マスク1と前記第1部材4を磁力吸引しながらマスク成膜を行うことを特徴とする。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
マスクを介して被成膜基板に膜パターンを形成する成膜方法であって、
成膜材料の供給源側から、前記マスクと、前記被成膜基板と、該被成膜基板との接面が平坦な第1部材とを順に配設し、前記マスクと前記第1部材を磁力吸引しながら成膜を行うことを特徴とするマスク成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 14/04
, H05B 33/10
, H01L 51/50
C23C14/04 A
, H05B33/10
, H05B33/14 A
3K007AB17
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 4K029AA24
, 4K029BA62
, 4K029BB03
, 4K029BD00
, 4K029CA01
, 4K029HA03
, 4K029HA04
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
