特許
J-GLOBAL ID：200903023278094680
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-100065
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284226
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物を使用した青色発光ダイオードを安価且つ高性能に製造することが困難であった。【解決手段】 高不純物濃度のn+ 形シリコンから成る基板11の上にTiから成る第1の金属層12、Ptから成る第2の金属層13、n形GaNから成る半導体領域14、p形InGaNから成る活性層15、p形GaNから成る半導体領域16を順次にエピタキシャル成長させる。p形半導体領域16の上面中央にアノード電極18を設ける。低抵抗性基板11の下面全体にカソード電極19を設ける。
請求項（抜粋）：
低抵抗性基板と、前記低抵抗性基板の一方の主面上に形成された金属層と、前記金属層の上に形成されており且つ窒化ガリウム又は窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物から成る第1の導電形の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の上に形成されており且つ窒化ガリウム又は窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物から成り且つ前記第1の導電形と反対の第2の導電形を有している第2の半導体領域と、前記第2の半導体領域の表面の一部に形成された第1の電極と、前記低抵抗性基板の他方の主面に形成された第2の電極とを備えていることを特徴とする半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
