特許
J-GLOBAL ID：200903023393399401
圧電結晶薄膜とその製造方法、および圧電体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-187997
公開番号（公開出願番号）：特開平11-343200
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】本発明は、スパッタリング法、CVD法、ゾルゲル法などでは容易に形成できない膜厚で、従来の水熱合成法にくらべ電気特性などに優れ、結晶化のための処理と高温を必要とせず、製造が容易な、圧電体薄膜とその製造方法、および圧電体素子を提供することを目的とする。【解決手段】TiまたはNiからなる基板上に、反応性スパッタリング法でPZT結晶薄膜を直接形成し、その上に水熱合成法によりPZT系結晶薄膜を形成することにより、圧電性の優れた圧電素子を容易に製造できる。
請求項（抜粋）：
基板上に反応性スパッタリング法で直接形成したPZT結晶薄膜と、その上に水熱合成法により結晶成長させたPZT系結晶薄膜とからなる圧電結晶薄膜。
IPC (8件)：
C30B 29/32
, G01L 1/16
, H01L 21/203
, H01L 37/02
, H01L 41/08
, H01L 41/187
, H01L 41/24
, C23C 14/34
C30B 29/32 D
, G01L 1/16 A
, H01L 21/203 S
, H01L 37/02
, C23C 14/34 N
, H01L 41/08 Z
, H01L 41/18 101 D
, H01L 41/22 A
