特許
J-GLOBAL ID：200903023416423429
半導体発光素子及び半導体発光装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-028159
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223070
出願日： 2004年02月04日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：
【課題】 ジャンクション・ダウンでマウントしてもリッジストライプが破壊されず、且つ半田層に空洞などが形成されない半導体発光素子及びこれを搭載した半導体発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】 活性層を含む半導体の積層体と、前記積層体の第1の主面上で第1の方向に延在して突出し、注入電流により生ずる発光を導波する導波路の少なくとも一部を含むリッジストライプと、前記リッジストライプの両側で、前記積層体の前記第1の主面上に突出したダミーリッジと、前記積層体の前記第1の主面上で、前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って形態された前記ダミーリッジを分割するスリットと、を備えたことを特徴とする半導体発光素子を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
活性層を含む半導体の積層体と、
前記積層体の第1の主面上で第1の方向に延在して突出し、注入電流により生ずる発光を導波する導波路の少なくとも一部を含むリッジストライプと、
前記リッジストライプの両側で、前記積層体の前記第1の主面上に突出したダミーリッジと、
前記積層体の前記第1の主面上で、前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って形成された前記ダミーリッジを分割するスリットと、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F073AA13
, 5F073AA61
, 5F073CB23
, 5F073FA16
出願人引用 (2件)
審査官引用 (10件)
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