特許
J-GLOBAL ID：200903024105671379
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140819
公開番号（公開出願番号）：特開2000-004009
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】 同一チップ上に相違する厚さのゲート酸化膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に活性領域と非活性領域を定義して素子隔離膜を形成し、ノーマル電圧領域の活性領域が高電圧領域の活性領域より相対的に広い面積を有するように形成する段階と、活性領域上にゲート酸化膜を間においてゲート電極を形成する段階と、ゲート電極の両側壁及びゲート電極両側の半導体基板上に乾式酸化方法で第1酸化膜を形成する段階と、ゲート電極両側の半導体基板上に形成された第1酸化膜がゲート酸化膜より相対的に薄厚を有するように第1酸化膜の一部をエッチングする段階と、ゲート電極の両側壁に絶縁膜スペーサを形成する段階と、湿式酸化法で第2酸化膜を形成する段階とを含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ノーマル電圧領域及び高電圧領域が定義された半導体基板を準備する段階と、前記半導体基板上に活性領域と非活性領域を定義して素子隔離膜を形成し、ノーマル電圧領域の活性領域が高電圧領域の活性領域より相対的に広い面積を有するように形成する段階と、前記活性領域上にゲート酸化膜を間に置いてゲート電極を形成する段階と、ゲート電極の両側壁及びゲート電極両側の半導体基板上に乾式酸化方法で第1酸化膜を形成する段階と、前記ゲート電極両側の半導体基板上に形成された第1酸化膜が前記ゲート酸化膜より相対的に薄厚を有するように前記第1酸化膜の一部をエッチングする段階と、前記ゲート電極の両側壁に絶縁膜スペーサを形成する段階と、半導体基板全面に湿式酸化方法で第2酸化膜を形成する段階とを含み、前記湿式酸化工程で、前記高電圧領域のゲート酸化膜が前記ノーマル電圧領域のゲート酸化膜に比べて相対的に厚く成長されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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