特許
J-GLOBAL ID:200903024185853260

発熱型薄膜素子センサとその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 廣澤 勲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-064243
公開番号(公開出願番号):特開平11-251104
出願日: 1998年02月27日
公開日(公表日): 1999年09月17日
要約:
【要約】【課題】 熱分布に偏りが少なく、耐久性及び検知精度が高い発熱型薄膜素子センサとその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体の基板10の下方に開口した空洞部14と、この基板10の表面側に絶縁層13を介して形成された導電膜16と、この導電膜16と絶縁層13を介して反対側の空洞部内14に発熱部20を有する。発熱部20と導電膜16との間に、絶縁層12,13を介して多結晶Si等の熱伝導率の良い均熱層15を備える。
請求項(抜粋):
基板の下方に開口した空洞部と、この基板の表面側に絶縁層を介して形成された導電膜と、この導電膜と上記絶縁層を介して反対側の上記空洞部内に形成された発熱部と、上記発熱部と上記導電膜との間に絶縁層を介して設けられた熱伝導率の良い均熱層とを備えた発熱型薄膜素子センサ。
IPC (3件):
H01C 7/00 ,  G01N 25/18 ,  G01F 1/68
FI (4件):
H01C 7/00 D ,  H01C 7/00 X ,  G01N 25/18 K ,  G01F 1/68
引用特許:
審査官引用 (9件)
全件表示

前のページに戻る