特許
J-GLOBAL ID：200903024218601172
フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-302537
公開番号（公開出願番号）：特開2009-128558
出願日： 2007年11月22日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：
【課題】マスク使用時のハンドリング中に起こり得るパターンの静電破壊の発生を抑制でき、万一静電破壊が起きてもデバイス形成に使用されるマスクパターンには影響が及ばないグレートーンマスクなどのフォトマスクを提供する。【解決手段】被転写体上に所望の転写パターンを形成するためのマスクパターンを透明基板24上に有するフォトマスク(例えばグレートーンマスク)であって、電気的に孤立する複数のマスクパターン10a,10b,10cからそれぞれ引き出された導電性パターン11aと11b,11cと11d,12aと12b,12cと12dを有する。かかる導電性パターンは、互いに接触せず、かつ上記各マスクパターン間よりも互いに近接する部分を有し、例えば半透光膜または透光膜により形成される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
被転写体上に所望の転写パターンを形成するためのマスクパターンを透明基板上に有するフォトマスクにおいて、
電気的に孤立する複数のマスクパターンからそれぞれ引き出された導線性パターンを有し、該導電性パターンは、互いに接触せず、かつ前記複数のマスクパターン間よりも互いに近接する部分を有することを特徴とするフォトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/08 A
, H01L21/30 502P
2H095BA03
, 2H095BA12
, 2H095BB01
, 2H095BB08
, 2H095BB14
, 2H095BC04
, 2H095BC05
, 2H095BC16
, 2H095BC24
出願人引用 (2件)
審査官引用 (8件)
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