特許
J-GLOBAL ID:200903024418336473
電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-090775
公開番号(公開出願番号):特開2006-276118
出願日: 2005年03月28日
公開日(公表日): 2006年10月12日
要約:
【課題】 液晶等の電気光学装置において、限られた基板上の領域に、端面リークが生じ難い構造の蓄積容量を備え、これにより高品位の画像表示を可能とし且つ信頼性を高める。【解決手段】 電気光学装置は、データ線及び走査線と、トランジスタと、該トランジスタより上層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、表示用電極とを備える。更に、基板上で平面的に見て上側電極及び下側電極が誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、下側電極の下地面の上層側であって且つ上側電極の下層側に形成されたスペーサ絶縁膜を備える。上側電極は、スペーサ絶縁膜上に少なくとも乗り上げるように延在しており、スペーサ絶縁膜の存在によって、下側電極の端面と上側電極の端面との層間距離が増大されている。【選択図】 図7
請求項(抜粋):
基板上に、
互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、
前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタと、
該トランジスタより上層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、
前記蓄積容量及び前記トランジスタに電気的に接続された表示用電極と、
前記基板上で平面的に見て前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、前記下側電極の下地面の上層側であって且つ前記上側電極の下層側に形成されたスペーサ絶縁膜と
を備え、
前記上側電極は、前記スペーサ絶縁膜上に少なくとも乗り上げるように延在しており、
前記スペーサ絶縁膜の存在によって、前記スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、前記下側電極の端面と前記上側電極の端面との層間距離が増大されている
ことを特徴とする電気光学装置。
IPC (2件):
FI (2件):
G09F9/30 338
, G02F1/1368
Fターム (24件):
2H092JA25
, 2H092JA44
, 2H092JA46
, 2H092JB62
, 2H092JB66
, 2H092JB68
, 2H092KA22
, 2H092MA05
, 2H092MA07
, 2H092MA13
, 2H092NA16
, 2H092RA05
, 5C094AA25
, 5C094AA42
, 5C094AA43
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094DA07
, 5C094DA13
, 5C094DB04
, 5C094EA04
, 5C094EC10
, 5C094HA08
, 5C094HA10
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-071914
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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薄膜トランジスタ装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-037959
出願人:富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社
-
半導体装置およびその作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-057344
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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