特許
J-GLOBAL ID：200903024443596692

静電容量型圧力センサ素子

発明者：
佐藤 清

佐藤 清 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  棚井 澄雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-193620
公開番号（公開出願番号）：特開2007-010553
出願日： 2005年07月01日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】 本発明は、安価であって高品質の静電容量型圧力センサ素子を得ることを目的とする。【解決手段】 本発明は、表面部絶縁性の基板と、表面部に形成された引出電極部及び下部電極部と、下部電極部の一部に形成された絶縁部と、引出電極部の一部上と絶縁部上と表面部上に位置するように立体状に形成され、引出電極部に電気的に接続された導電性スペーサ部材と、スペーサ部材上のダイヤフラム層とが具備され、ダイヤフラム層自体が導電材料から構成されるか、あるいは、ダイヤフラム層に電極層が形成されて上部電極部が形成されてなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも表面部が絶縁性にされた基板と、前記絶縁性の表面部に平面視的に離間して個々に形成された引出電極部及び下部電極部と、前記下部電極部の少なくとも一部に形成された絶縁部と、前記引出電極部の少なくとも一部上と前記下部電極部の絶縁部上と前記絶縁性の表面部上に少なくとも位置するように形成され、前記引出電極部に電気的に接続された導電性材料からなるスペーサ部材と、前記スペーサ部材の上において前記基板の絶縁性の表面部及び前記下部電極部と所定のギャップを介して設けられたダイヤフラム層とが具備されてなり、前記ダイヤフラム層自体が導電材料から構成されるか、あるいは、前記ダイヤフラム層に電極層が形成されて前記下部電極部と対向する上部電極部が形成されてなることを特徴とする静電容量型圧力センサ素子。
IPC (2件)：
G01L 9/00 ,  H01L 29/84
FI (2件)：
G01L9/00 305A ,  H01L29/84 Z
Fターム (23件)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF43 ,  2F055GG12 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA11 ,  4M112CA13 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA09 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112FA20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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