特許
J-GLOBAL ID:200903029085646471

パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 洋子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-240399
公開番号(公開出願番号):特開2006-058600
出願日: 2004年08月20日
公開日(公表日): 2006年03月02日
要約:
【課題】 被覆形成剤を用いたパターンの微細化において、パターン形状を維持したまま均一な熱収縮率で収縮させたパターン形成を企図し、特に楕円形状のホールパターン形成において、高い熱収縮率を保ったまま、楕円の短軸径と長軸径との比率を維持した状態で熱収縮させ、微細化された楕円形ホールパターンを得ることができるパターン微細化用被覆形成剤、およびこれを用いた微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】 ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、該被覆の熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめた後、当該被覆を実質的に完全に除去して微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、(a)水溶性ポリマーと、(b)少なくとも同一環内に2個以上の窒素原子を有する複素環式化合物の単量体を含有するパターン微細化用被覆形成剤、および該パターン微細化用被覆形成剤を用いた微細パターン形成方法。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、該被覆の熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめた後、当該被覆を実質的に完全に除去して微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、(a)水溶性ポリマーと、(b)少なくとも同一環内に2個以上の窒素原子を有する複素環式化合物の単量体を含有することを特徴とするパターン微細化用被覆形成剤。
IPC (2件):
G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (2件):
G03F7/40 511 ,  H01L21/30 570
Fターム (9件):
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096HA01 ,  2H096HA02 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  5F046LA18
引用特許:
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (4件)
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