半導体装置、回路配線基板及び半導体装置実装構造体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-248242
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098044
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】信頼性が高いバンプ電極構造を有する半導体装置、回路配線基板、および半導体実装構造体を提供すること。【解決手段】半導体チップと、この半導体チップに形成されたボンディングパッドと、このボンディングパッド上に形成されたバンブ電極とを具備し、前記バンブ電極は、前記ボンディングパッド上に形成された第1の金属層、この第1の金属層上に配置された第2の金属層、およびこの第2の金属層上に形成され、回路配線基板と接続されるための第3の金属層とを有し、前記第2の金属層が前記第3の金属層と接する界面近傍には、第2の金属層の内部領域よりも、炭素、硫黄、および酸素からなる群から選ばれた少なくとも1種が高濃度に分散している高濃度領域が存在することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体チップと、この半導体チップに形成されたボンディングパッドと、このボンディングパッド上に形成されたバンブ電極とを具備し、前記バンブ電極は、前記ボンディングパッド上に形成された第1の金属層、この第1の金属層上に配置された第2の金属層、およびこの第2の金属層上に形成され、回路配線基板と接続されるための第3の金属層とを有し、前記第2の金属層が前記第3の金属層と接する界面近傍には、第2の金属層の内部領域よりも、炭素、硫黄、および酸素からなる群から選ばれた少なくとも1種が高濃度に分散している高濃度領域が存在することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H01L 21/60 311

FI (4件)：

H01L 21/92 602 E , H01L 21/60 311 S , H01L 21/92 603 D , H01L 21/92 604 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-019314 出願人：株式会社東芝
半導体装置の接続構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-338013 出願人：カシオ計算機株式会社
半導体素子およびその製造方法および半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-010217 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

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