キャパシタ絶縁膜およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大垣孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-160226
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008359
出願日： 1997年06月17日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】 64M DRAM等の大容量のDRAM等の用途であっても、耐久性に優れ、キャパシタ絶縁膜としての耐絶縁破壊電圧値や、キャパシタ容量につき安定した特性を示し、さらに製造を容易とする。【解決手段】シリコンの熱窒化膜を含むキャパシタ絶縁膜において、シリコンの熱窒化膜106、CVD窒化膜104および酸化膜102を、この順に下から積層することにより構成してある。

請求項（抜粋）：

CVD窒化膜を含むキャパシタ絶縁膜において、シリコンの熱窒化膜、CVD窒化膜および酸化膜を、この順に下から積層してあることを特徴とするキャパシタ絶縁膜。

IPC (6件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/10 651 , H01L 21/316 M , H01L 21/318 M , H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-121030 出願人：株式会社東芝
特開平2-016763
成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-189395 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社

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